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- 4 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
549,90 €
(con IVA)
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Precio Promocional válido de 20/06/2025 a 20/08/2025. Stock Limitado.
SKU MZ-VAP4T0CW
EAN 8806095811659
GARANTÍA 36 Meses
Samsung MZ-VAP4T0, 4 TB, M.2, 14800 MB/s
- Samsung MZ-VAP4T0
- SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
Características | |
Versión NVMe | 2.0 |
Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
SDD, capacidad | 4 TB |
Factor de forma de disco SSD | M.2 |
Interfaz | PCI Express 5.0 |
NVMe | Si |
Tipo de memoria | V-NAND TLC |
Componente para | PC/Consola de videojuegos |
Encriptación de hardware | Si |
Tamaño de la unidad SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
Velocidad de lectura | 14800 MB/s |
Velocidad de escritura | 13400 MB/s |
Lectura aleatoria (4KB) | 2200000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) | 2600000 IOPS |
Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 |
Función DevSleep | Si |
Soporte S.M.A.R.T. | Si |
Soporte TRIM | Si |
Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
Control de energía | |
Voltaje de operación | 3,3 V |
Consumo eléctrico promedio (lectura) | 9 W |
Consumo eléctrico promedio (escritura) | 8,2 W |
Peso y dimensiones | |
Ancho | 80,2 mm |
Profundidad | 8,88 mm |
Altura | 25 mm |
Peso | 30 g |
Empaquetado | |
Tipo de embalaje | Caja |
Condiciones ambientales | |
Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
Golpes en funcionamiento | 1500 G |
Otras características | |
Periodo de garantía | 5 año(s) |
549,90 €
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